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Isolated monolayer thickness WSe2 are grown onto c-cut (0001) sapphire substrates. This particular product contains monolayer thickness WSe2 triangular flakes randomly distributed across sapphire
基于二氧化硅基底的三角形單層二硫化鉬（10*10mm）
基于藍寶石基底的三角形單層二硫化鉬（10*10mm）
基于柔性PET基底的三角形單層二硫化鉬（10*10mm）
基于二氧化硅基底的單層連續二硫化鉬薄膜
基于藍寶石基底的單層連續二硫化鉬薄膜（10*10mm
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